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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N05-11L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2106pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@45A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2106pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
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类型：N沟道
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功率：75W
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栅极电荷：52nC@10V
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类型：N沟道
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功率：75W
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栅极电荷：52nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@45A，10V
漏源电压：50V
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
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输入电容：2106pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@45A，10V
漏源电压：50V
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规格型号(MPN)：SQD50N05-11L_GE3
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输入电容：2106pF@25V
导通电阻：11mΩ@45A，10V
漏源电压：50V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
连续漏极电流：50A
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD50N05-11L_GE3
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输入电容：2106pF@25V
导通电阻：11mΩ@45A，10V
漏源电压：50V
阈值电压：2.5V@250µA
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工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
连续漏极电流：50A
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2106pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@45A，10V
漏源电压：50V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2106pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@45A，10V
漏源电压：50V
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：2106pF@25V
连续漏极电流：50A
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导通电阻：11mΩ@45A，10V
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2106pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@45A，10V
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