采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
输入电容：2520pF@30V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：52nC@10V
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86569-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP26P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3820pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
