品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L03BATTL1
工作温度:150℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L03BATTL1
工作温度:150℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L03BATTL1
工作温度:150℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ20S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:22.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L03BATTL1
工作温度:150℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ20S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:22.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2738GR-E1-AX
工作温度:150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2738GR-E1-AX
工作温度:150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ20S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:22.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ20S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:22.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ20S04M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:41W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:22.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2738GR-E1-AX
工作温度:150℃
功率:2.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L03BATTL1
工作温度:150℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:112mΩ@3.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L03BATTL1
工作温度:150℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: