品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7227-100B,118
工作温度:-55℃~185℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2789pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2008}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P08BBDTL
功率:119W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.94nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA083N10N5XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:3.8V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7227-100B,118
工作温度:-55℃~185℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2789pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P08BBDTL
功率:119W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.94nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€70W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P08BBDTL
功率:119W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.94nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA083N10N5XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:3.8V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P08BBDTL
功率:119W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.94nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA083N10N5XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:3.8V@49µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€70W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@50V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@28A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: