品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD10AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1840pF@25V
连续漏极电流:11A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD10AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1840pF@25V
连续漏极电流:11A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L03BATTL1
工作温度:150℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L03BATTL1
工作温度:150℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):25P06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:3.384nF@30V
连续漏极电流:25A
类型:1个P沟道
导通电阻:31mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD10AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1840pF@25V
连续漏极电流:11A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L03BATTL1
工作温度:150℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1L145GNTB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.7V@200µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1880pF@30V
连续漏极电流:14.5A€47A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@14.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD10AN06A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1840pF@25V
连续漏极电流:11A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G05P06L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1366pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: