采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：214W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：214W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：214W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：214W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：214W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：214W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：214W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP20NM60FD
连续漏极电流：20A
功率：192W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-65℃~150℃
包装方式：管件
漏源电压：600V
导通电阻：290mΩ@10A，10V
输入电容：1300pF@25V
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：3V@1mA
工作温度：175℃
类型：P沟道
功率：41W
输入电容：1850pF@10V
栅极电荷：37nC@10V
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ20S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：22.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW20NM60FD
工作温度：-65℃~150℃
功率：214W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
