采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.2V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N3ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@272µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：15000，"18+"：1250，"19+"：4250，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100P，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.2V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：15000，"18+"：1250，"19+"：4250，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100P，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.2V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.2V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2242，"MI+"：720}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N04S4L02ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.2V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N3ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@272µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：15000，"18+"：1250，"19+"：4250，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100P，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N3ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@272µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP26M7UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N3ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@272µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP26M7UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100P，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2242，"MI+"：720}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN009-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP26M7UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5940pF@10V
连续漏极电流：18A€40A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：32655，"24+"：1892}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT020N10N3ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@272µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19506KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@40V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
