采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGB19NC60KDT4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：1.45mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：26750，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13GP120BDQ1G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：50A
关断延迟时间：28ns
关断损耗：165µJ
开启延迟时间：9ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：55nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.9V@15V，13A
导通损耗：115µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：26750，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：1.45mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：26750，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB10N60FG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：72A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：1.7V@15V，10A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSI
工作温度：-55℃~+150℃
功率：96W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：1.45mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGB19NC60KDT4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF19NC60KD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：75A
关断延迟时间：105ns
反向恢复时间：31ns
关断损耗：255µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：55nC
集电极电流(Ic)：2.75V@15V，12A
导通损耗：165µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
