包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
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输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
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输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
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库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
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输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
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输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
类型:N沟道
输入电容:232pF@100V
功率:20W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: