采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：35pF@10V
导通电阻：78mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：35pF@10V
导通电阻：78mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：35pF@10V
导通电阻：78mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000}
包装规格(MPQ)：568psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1759G-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：散装
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000}
包装规格(MPQ)：568psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1759G-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：散装
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5000}
包装规格(MPQ)：568psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1759G-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：散装
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD050N06TL
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：109mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD050N06TL
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：109mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOU3N50
工作温度：-50℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：331pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，1.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
