采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA446DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@75V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：177mΩ@3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3421E
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3421E
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB6N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：232pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1841
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L050SNFRATL
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2404K-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L050SNFRATL
工作温度：-55℃~150℃
功率：15W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.14W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：375mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
