品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S302ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":24458,"08+":6149}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N04S302AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14300pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N04S302ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":337,"14+":50100,"16+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI120N04S302AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14300pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":337,"14+":50100,"16+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI120N04S302AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14300pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
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输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":24458,"08+":6149}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N04S302AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":24458,"08+":6149}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N04S302AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14300pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:9.95nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":337,"14+":50100,"16+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI120N04S302AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14300pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:9950pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:210nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":700}
规格型号(MPN):IPB180N04S302ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:4V@230µA
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
连续漏极电流:180A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:210nC@10V
功率:300W
ECCN:EAR99
输入电容:14300pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:210nC@10V
连续漏极电流:50A
阈值电压:2.5V@250μA
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
类型:1个P沟道
输入电容:9.95nF@25V
功率:71W
包装清单:商品主体 * 1
库存: