采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
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功率：176W
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输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB9406-F085
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功率：176W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：7710pF@25V
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB9406-F085
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功率：176W
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类型：N沟道
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生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
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规格型号(MPN)：FDB9406-F085
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功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
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生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
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功率：176W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
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功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
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类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3.5V@330µA
栅极电荷：138nC@10V
连续漏极电流：519A
功率：197W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3.5V@330µA
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连续漏极电流：519A
功率：197W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
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功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：138nC@10V
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连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
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连续漏极电流：519A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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