品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6366E
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@15V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6366E
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@15V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3006SDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€89W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5725pF@15V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3006SDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€89W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5725pF@15V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6366E
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@15V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: