采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R099CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R099CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R099CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R099CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R099CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R099CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R099CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：63，"20+"：9266，"21+"：30}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R099CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R099CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：63，"20+"：9266，"21+"：30}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R099CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO68N65DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.528nF@100V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@27.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R099CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R099CP
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R099CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1350}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：63，"20+"：9266，"21+"：30}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R099CPXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STO68N65DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：240W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.528nF@100V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@27.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL067N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.75nF@400V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@10V，20A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
