采购热线 400-661-9010
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@8V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6366E
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@15V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：204，"07+"：34200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：3000，"11+"：40625}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4302G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@24V
连续漏极电流：8.4A€68A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.9mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@8V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8487DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8487DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@15V
连续漏极电流：19.7A
类型：P沟道
导通电阻：9.8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80P03P4L07ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2V@130µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
