品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3290pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@5.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
导通电阻:20mΩ@11A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
输入电容:3100pF@8V
类型:P沟道
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
导通电阻:20mΩ@11A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
输入电容:3100pF@8V
类型:P沟道
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: