销售单位:个
规格型号(MPN):STL100N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@19A,10V
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分类:Mosfet场效应管
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类型:N沟道
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类型:N沟道
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