品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBG30PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1.9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R099CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPG30PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1.9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5104TR2PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€114W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3120pF@25V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4LN067N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R099CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5795pF@20V
连续漏极电流:27A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP067N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:266W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH12N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:463W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4080pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBG30PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1.9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R099CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R099CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH12N100P
工作温度:-55℃~150℃
功率:463W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:4080pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7241TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBG30PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1.9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBG30PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1.9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存: