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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW€2.1W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79.3pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@6V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：76mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW€2.1W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79.3pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW€2.1W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79.3pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW€2.1W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79.3pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH103BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW€2.1W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79.3pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17484F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：121mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB1200UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
