采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5395，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5395，"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3300ANH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3300ANH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7767，"23+"：56922}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN3300ANH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@50V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@12µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：54，"20+"：349，"21+"：4408，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86105
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：645pF@50V
连续漏极电流：6A€26A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7767，"23+"：56922}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC24N10S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@50V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：54，"20+"：349，"21+"：4408，"MI+"：340}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD78CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：4V@12µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：716pF@50V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
