品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":6697}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":6697}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N03VUG-E1-AY
功率:105W€1.2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:7.5nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@45A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VDG-E1-AY
功率:105W€1.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VDG-E1-AY
功率:105W€1.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04NDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04NDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04NLG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VDG-E1-AY
功率:105W€1.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":6697}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N03VUG-E1-AY
功率:105W€1.2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:7.5nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@45A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N03VUG-E1-AY
功率:105W€1.2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:7.5nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@45A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N03VUG-E1-AY
功率:105W€1.2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:7.5nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@45A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N03VUG-E1-AY
功率:105W€1.2W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:7.5nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@45A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":6697}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N04MLG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:208W
阈值电压:3.9V@100μA
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:4.73nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@10V,100A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VDG-E1-AY
功率:105W€1.2W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: