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    栅极电荷: 135nC@10V
    工作温度: -55℃~+150℃
    阈值电压: 2.3V@250μA
    行业应用: 汽车
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:4.37nF@20V

    导通电阻:11.7mΩ@10V,15A

    阈值电压:2.3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

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