采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3662
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@50V
连续漏极电流：8.9A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@8.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：212W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP14NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2220pF@25V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2647pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：1600，"MI+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R160C6FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：176W
阈值电压：3.5V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@100V
连续漏极电流：23.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6900，"MI+"：730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP40NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R160C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：176W
阈值电压：3.5V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@100V
连续漏极电流：23.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6900，"MI+"：730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6900，"MI+"：730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF290N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3205pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQAF16N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@5.65A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R160C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：176W
阈值电压：3.5V@750µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@100V
连续漏极电流：23.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3662
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@50V
连续漏极电流：8.9A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@8.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2647pF@100V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：71mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR418DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3662
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@50V
连续漏极电流：8.9A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@8.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@20V
连续漏极电流：35A€210A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR418DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
