品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60P06-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
连续漏极电流:8.9A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT700P08D3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1591pF@40V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2307ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@32A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:212W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@90A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU60P06-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"13+":270,"15+":1000,"16+":11310,"18+":17455,"21+":13084,"22+":9876,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2647pF@100V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G65P06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5814pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€214W
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@75V
连续漏极电流:18A€139A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@97A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€214W
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@75V
连续漏极电流:18A€139A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@97A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR2307ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2190pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@32A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: