品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:3.5V@180μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.855nF@25V
连续漏极电流:252A€43A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR418DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:3.5V@180μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.855nF@25V
连续漏极电流:252A€43A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H414NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€110W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@20V
连续漏极电流:35A€210A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR418DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR418DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1601,"22+":31934}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA38EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: