品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"13+":270,"15+":1000,"16+":11310,"18+":17455,"21+":13084,"22+":9876,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":3692}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S4L07AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"13+":270,"15+":1000,"16+":11310,"18+":17455,"21+":13084,"22+":9876,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":3692}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S4L07AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
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漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":19000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S4L07AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":19000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S4L07AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
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漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8382,"22+":8394}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":19000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S4L07AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":3000,"13+":270,"15+":1000,"16+":11310,"18+":17455,"21+":13084,"22+":9876,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N03S4L03ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: