品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
连续漏极电流:8.9A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:212W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000,"23+":1600,"MI+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP61N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€214W
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@75V
连续漏极电流:18A€139A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@97A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€214W
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@75V
连续漏极电流:18A€139A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@97A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:3.5V@180μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.855nF@25V
连续漏极电流:252A€43A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6900,"MI+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5D0N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€214W
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@75V
连续漏极电流:18A€139A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@97A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQAF16N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:11.3A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@5.65A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
连续漏极电流:8.9A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4210
工作温度:150℃
功率:2.5W€190W
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:1500pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
连续漏极电流:8.9A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:3.5V@180μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.855nF@25V
连续漏极电流:252A€43A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9406-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€136.4W
阈值电压:3.5V@190µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:45A€240A
类型:N沟道
导通电阻:1.21mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: