采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R800CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：26.4W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R800CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N60M2-EP
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：595mΩ@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R800CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R800CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R800CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R800CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R800CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R800CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R800CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：26.4W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R4-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：858pF@12V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.69mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R800CEXKSA2
工作温度：-40℃~150℃
功率：26.4W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL211SPH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：654pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R800CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R4-25YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：858pF@12V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：5.69mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R800CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN50R800CEATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3.5V@130µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@1.5A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P03BBHTL1
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
