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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:14A€16A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€273W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9281pF@25V

    连续漏极电流:51A€430A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6195pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6195pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR170DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR170DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6195pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R1ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R1ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8250pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM45N25-58-E3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM45N25-58-E3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM45N25-58-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D7N04CTXG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D7N04CTXG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.9W€205W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9230pF@25V

    连续漏极电流:65A€420A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R1ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R1ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8250pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4103DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:14A€16A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R1ATMA1 起订422个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R1ATMA1 起订422个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1447,"22+":4900,"23+":985}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8250pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4610TRLPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4610TRLPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4610TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3550pF@50V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R1ATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R1ATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@90µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8250pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D5N08MC 起订88个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D5N08MC 起订88个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2750,"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@650µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10400pF@40V

    连续漏极电流:33A€287A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.56mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N10S403ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N10S403ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB120N10S403ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10120pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N10S403ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB120N10S403ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB120N10S403ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:3.5V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10120pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D7N04CTXG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D7N04CTXG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.9W€205W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9230pF@25V

    连续漏极电流:65A€420A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L008ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L008ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6L008ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@90µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7910pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM45N25-58-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM45N25-58-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM45N25-58-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L008ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC120N04S6L008ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC120N04S6L008ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@90µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7910pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.8mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18536KTT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18536KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11430pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR170DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6195pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM45N25-58-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM45N25-58-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM45N25-58-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75P04YLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP75P04YLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP75P04YLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€138W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.7mΩ@37.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.2mΩ@18.6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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