品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX24N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@12A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3405pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:112mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR24N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7200pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@12A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH50P10
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:4350pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK32N80Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@16A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4949}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:9.2mΩ@18.6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4949}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR170DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6195pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: