采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：10，"17+"：200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3480-AZ
工作温度：150℃
功率：1.5W€84W
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19447，"9999"：997，"MI+"：3000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19447，"9999"：997，"MI+"：3000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB056N10NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@50V
连续漏极电流：9A€83A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSB056N10NN3GXUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：3.5V@100µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@50V
连续漏极电流：9A€83A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP75N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA75N10P
工作温度：-55℃~175℃
功率：360W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：44000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFN7110TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€125W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF045N10A
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@67A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
