包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:26.4mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:26.4mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:25.9nC@10V
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输入电容:1200pF@15V
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类型:P沟道
导通电阻:26.4mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:25.9nC@10V
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输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:26.4mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
输入电容:1200pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:26.4mΩ@6A,10V
功率:950mW
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:25.9nC@10V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N240K6
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N240K6
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:25.9nC@10V
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输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:26.4mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STP80N240K6
输入电容:1.35nF@100V
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@100μA
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包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:25.9nC@10V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
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连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
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类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
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类型:P沟道
导通电阻:26.4mΩ@6A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
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导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V@100μA
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包装方式:管件
输入电容:1.35nF@100V
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类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N240K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
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包装方式:管件
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连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E060ATTCR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:25.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:26.4mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: