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    连续漏极电流
    栅极电荷: 15nC@10V
    行业应用: 工业
    漏源电压: 60V
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: P沟道
    当前匹配商品:70+
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    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1447

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8000
    加购:4000
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订32000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订32000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:32000
    加购:4000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ598-ZK-E1-AZ

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订2000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订2000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    加购:4000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
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