采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：49W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：49W
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ECCN：EAR99
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输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
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功率：49W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
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功率：49W
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栅极电荷：15nC@10V
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
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输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
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功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
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连续漏极电流：18A
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：18A
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导通电阻：63mΩ@10V，18A
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导通电阻：63mΩ@10V，18A
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
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连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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连续漏极电流：18A
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行业应用：工业,汽车
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导通电阻：63mΩ@10V，18A
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
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连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：49W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@18A，10V
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连续漏极电流：18A
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导通电阻：63mΩ@10V，18A
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连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
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栅极电荷：15nC@10V
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连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
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类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
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栅极电荷：15nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：485pF@25V
导通电阻：63mΩ@10V，18A
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD12N06RLESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：49W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，18A
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