品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8N65M5
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50FTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4565}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50UTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N65M5
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N65M5
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB8N65M5
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N65M5
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N65M5
工作温度:150℃
功率:70W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50FTM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@1.75A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5N50TM-WS
漏源电压:500V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
输入电容:640pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@2A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N90TM
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:900V
输入电容:500pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD8N65M5
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:70W
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:690pF@100V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:109W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:529pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: