品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN063-650WSAQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:34.5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2104
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2104
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF2910L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2076,"10+":7245}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-150-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN063-650WSAQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:34.5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2104
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2076,"10+":7245}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-150-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN063-650WSAQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:34.5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-150-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
连续漏极电流:20A
导通电阻:60mΩ@10A,10V
输入电容:590pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
连续漏极电流:20A
导通电阻:60mΩ@10A,10V
输入电容:590pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2076,"10+":7245}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-150-1G
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:280pF@25V
功率:1.5W€28.8W
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:21+
规格型号(MPN):FQP20N06
连续漏极电流:20A
导通电阻:60mΩ@10A,10V
输入电容:590pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):AOTF2910L
阈值电压:2.7V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
功率:2.1W€27W
连续漏极电流:22A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1190pF@50V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN063-650WSAQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:34.5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":400}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2104
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2104
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):300psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN063-650WSAQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@400V
连续漏极电流:34.5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: