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    栅极电荷: 15nC@10V
    类型: 1个N沟道
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD20N06TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:16.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,8.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订12个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订12个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3692

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:746pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N90

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6504END3TL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6504END3TL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6504END3TL1

    功率:58W

    阈值电压:4V@130μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.05Ω@1.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6504END3TL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6504END3TL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6504END3TL1

    功率:58W

    阈值电压:4V@130μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.05Ω@1.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N90

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6504END3TL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6504END3TL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6504END3TL1

    功率:58W

    阈值电压:4V@130μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.05Ω@1.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3692

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:746pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3692

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:746pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6504END3TL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6504END3TL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6504END3TL1

    功率:58W

    阈值电压:4V@130μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.05Ω@1.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6504END3TL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6504END3TL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6504END3TL1

    功率:58W

    阈值电压:4V@130μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.05Ω@1.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC655BN 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,6.3A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006PND3FRATL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006PND3FRATL

    功率:87W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3692

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:746pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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