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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK50ZT4
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1.15A，10V
阈值电压：4.5V@50µA
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2.3A
栅极电荷：15nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
阈值电压：4.5V@50µA
输入电容：280pF@25V
栅极电荷：15nC@10V
漏源电压：600V
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@50V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.1A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R900P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：3.5V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@500V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.2A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
