采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66402
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€119W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5570pF@20V
连续漏极电流：49A€85A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@20V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.1mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD100N04-3M6_GE3
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
连续漏极电流：100A
输入电容：6700pF@25V
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
