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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：501，"17+"：114，"22+"：32000，"MI+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP80N03S2L04AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：501，"17+"：114，"22+"：32000，"MI+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP80N03S2L04AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：501，"17+"：114，"22+"：32000，"MI+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP80N03S2L04AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
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品牌：INFINEON
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：501，"17+"：114，"22+"：32000，"MI+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP80N03S2L04AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：2V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€88.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2706pF@15V
连续漏极电流：17A€88.6A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS015P03P8ZTAG
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：7.5mΩ@12A，10V
功率：3.2W€88.2W
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：2706pF@15V
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：17A€88.6A
包装清单：商品主体 * 1
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