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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
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功率：3.5W€7.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA36P15
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.32nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA36P15
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.32nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
输入电容：4230pF@20V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
连续漏极电流：36A
功率：3.5W€7.8W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
输入电容：4230pF@20V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
连续漏极电流：36A
功率：3.5W€7.8W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4154DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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