品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR34332C
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€83.3W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@15V
连续漏极电流:48A€50A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":501,"17+":114,"22+":32000,"MI+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP80N03S2L04AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":501,"17+":114,"22+":32000,"MI+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP80N03S2L04AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":501,"17+":114,"22+":32000,"MI+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP80N03S2L04AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":501,"17+":114,"22+":32000,"MI+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP80N03S2L04AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR34332C
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€83.3W
阈值电压:1.2V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
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品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR34332C
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.2W€83.3W
阈值电压:1.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:4175pF@15V
连续漏极电流:48A€50A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR34332C
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:4175pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:48A€50A
功率:6.2W€83.3W
导通电阻:1.8mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
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