销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:12.7mΩ@70A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6407
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€83W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3505pF@15V
连续漏极电流:32A€85A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6407
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€83W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3505pF@15V
连续漏极电流:32A€85A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:12.7mΩ@70A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€88.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:12.7mΩ@70A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6407
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€83W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3505pF@15V
连续漏极电流:32A€85A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:12.7mΩ@70A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6407
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€83W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3505pF@15V
连续漏极电流:32A€85A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6407
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€83W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3505pF@15V
连续漏极电流:32A€85A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:12.7mΩ@70A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:12.7mΩ@70A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6407
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€83W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3505pF@15V
连续漏极电流:32A€85A
类型:P沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:12.7mΩ@70A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: