品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF042N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:3.8V@93µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:21A€139A
类型:N沟道
导通电阻:4.25mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF042N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:3.8V@93µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:21A€139A
类型:N沟道
导通电阻:4.25mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR7904PB,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6650pF@10V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.79mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR7904PB,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6650pF@10V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.79mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD70N10F4
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSTATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6020pF@20V
连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2V@49µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB160N75F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@60A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF042N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:3.8V@93µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@50V
连续漏极电流:21A€139A
类型:N沟道
导通电阻:4.25mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: