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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@20V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@20V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@20V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC014N04LSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€115W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6020pF@20V
连续漏极电流：33A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@20V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
