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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
漏源电压：500V
导通电阻：200mΩ@12A，10V
类型：1个N沟道
输入电容：4.31nF@25V
栅极电荷：85nC@10V
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
连续漏极电流：24A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
