采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8N80CI C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：40.3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1921pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF634PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10696，"16+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI65R310CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10696，"16+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI65R310CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI634GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@3.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：10696，"16+"：16000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI65R310CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104.2W
阈值电压：4.5V@440µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@100V
连续漏极电流：11.4A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI634GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@3.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF634PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP9NK65Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1145pF@25V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF634PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：8.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.1A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20858}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20858}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R110CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：114W
阈值电压：4.5V@480µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1942pF@400V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@9.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA06N80C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：3.9V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：785pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3.8A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
