品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
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包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
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输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
功率:3.8W€52W
栅极电荷:53nC@10V
输入电容:1900pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:35A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):CSD18532KCS
功率:250W
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:4680pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4680pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS454DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€52W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: