采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB7D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€166W
阈值电压：4.5V@342µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@75V
连续漏极电流：15.2A€101A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@62A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：384，"22+"：2423}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB7D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€166W
阈值电压：4.5V@342µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@75V
连续漏极电流：15.2A€101A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@62A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
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栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
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连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
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栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：384，"22+"：2423}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ-F127-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：384，"22+"：2423}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
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输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB7D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€166W
阈值电压：4.5V@342µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@75V
连续漏极电流：15.2A€101A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@62A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB7D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€166W
阈值电压：4.5V@342µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@75V
连续漏极电流：15.2A€101A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@62A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：384，"22+"：2423}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB7D3N15MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€166W
阈值电压：4.5V@342µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@75V
连续漏极电流：15.2A€101A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@62A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ-F127-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3652-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@25V
连续漏极电流：9A€61A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@61A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ-F127-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2045pF@15V
连续漏极电流：8.5A€18A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC4435BZ-F127-L701
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：53nC@10V
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
输入电容：2045pF@15V
类型：P沟道
连续漏极电流：8.5A€18A
功率：2.3W€31W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
